屏障技术难度低、成本小、效果还好，全看能不能想到。
加装一个热屏障，增加了单晶炉熔炼区的温度，又减少了对于结晶生长的单晶棒的影响好处极多。
首先第一点好处就是一炉单晶棒的生长速度能从七天缩短到三天，效率倍增；不仅如此，减少了无效的热量消耗后一座单晶炉每个小时的能耗从120度电降低到90度，再算上减少四天的时间，能耗整体降低到原来的40%。
最关键的是少了下方的热量影响晶圆生长，晶圆的良品率能增长到80%以上。而单晶生长更稳定，才能为后面的3英寸乃至6英寸晶圆打下基础。
历史上也是有了热屏障技术，6英寸的晶圆制备技术才算成熟开始大规模推广。
正因为有这么多好处，上辈子一直到90年代我国引进了二三十条三英寸的晶圆生产线，统统都不带热屏障技术，国外的那些无良商家试图以此来继续误导我们的发展。
黄总工很快就验证了宋远的说法，特别是热屏障的使用直接让晶圆的良品率翻倍、成本下降了三分之二，整体核算一下仅在晶圆这方面的成本只有原来预计的30%。
而氢氧化钡溶液也效果显著，喷涂了溶液的石英坩埚使用寿命翻了10倍还多，达到生产二三十次后才需要换新的。
这一下成本又降低了20%，晶圆的成本只有原来的四分之一，每个月更能生产出3吨以上的高品质晶圆。
上面得知了这个消息后欣喜若狂，有了高品质晶圆又有了国产光刻机，我国的半导体行业终于可以起飞了！