3，使得1bi只要1美分，从此开创了dr时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。
1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。
如果按照谭振华重生那年的市占率来算，长电科技、华天科技、通富微电三家相加，已经占据了全球芯片封测市场接近20的份额，其中市占率最高的长电科技排名全球第三，市占率118，可见华夏在芯片领域，至少在这一块业务上并不落后。
1974年，华夏为发展大规模集成电路si，在京城召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；也是在这一年，南高丽三星电子正式进军半导体行业。
由此可见，至少到这个时间点之前，华夏的半导体水平，比之南高丽要遥遥领先。
1975年，华夏完成了硅栅nos、硅栅os、铝栅nos三种技术方案，109厂随即采用硅栅nos技术，试制成功第一块1kdr，相比米国英特尔研制的c1103要晚五年。
同年，华夏湾岛“工研院”向米国购买了第一条3英寸晶圆生产线并于1977年建成投产。
1976年11月，华夏科学院计算技术研究所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为109厂研制的ec型eieruedogic，发射极耦合逻辑电路。
同年，倭国由通产省牵头，联合五大骨干公司组建“vsi联合研发体”，投资720亿日元攻坚超大规模集成电路dr的技术难关。
由此可见，至少到这一年为止，华夏的技术水平与倭国也不相上下，更领先于湾岛。
在这一年，华夏国产的集成电路芯片年度出货量超过了1千万片，比米国达到这一数字晚了十年。
1978年，华夏科学院半导体研究所成功研制4kdr，1979年9月28日在109厂成功流片量产，平均良品率为28，同年南高丽电子技术研究所kie从米国购买了一条3英寸晶圆生产线，次年投产。
同年，米国gc开发出第一台分布重复投影曝光机，使得米国的集成电路图形线宽从15μ缩。
1979年8月，华夏第一支d器件在4013所研制成功。
对的，同学，你没有看错，华夏人在70年代的末期就自研出了d器件。
谭二公子难道不知道么当然不是，以他前世对4013所的熟悉程度，他当然知